OptiMOS 6 Power MOSFET
最終更新日:2023/09/06
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- ・高性能アプリケーション向けに最適化
・ジャンクション温度(Tj)150℃
・業界で最も低いRDS(on)、最も小型のPQFN 2x2パッケージ
・PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗
・最先端シリコンテクノロジー
・100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
・鉛フリーめっき、RoHS指令準拠
・IEC61249-2-21準拠のハロゲンフリー
製品カタログ・資料
- OptiMOS 6 Power MOSFET
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.12MB本製品は、OptiMOS 6 40V、PQFN(2×2mm2パッケージのMOSFET。競合製品に比べ、オン抵抗(RDS(on))が最大40%、FOM QGは最大50%低減され、最高クラスのソリューションとして優れたスイッチング性能を提供する。
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会社情報
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