OptiMOS パワーMOSFET 25~150V PQFN 5×6mm² ソースダウン センターゲート構造
最終更新日:2023/10/12
このページを印刷導通損失の最小化、電圧オーバーシュートの低減、最大電流能力の向上、および熱性能の向上により熱管理が容易
本製品は、PQFN 5×6mm2ソースダウンパッケージの低耐圧および中耐圧パワーMOSFET。シリコンチップのアクティブ側を部品の底面側に向けていることがソースダウンパッケージの主要コンセプトであり、シリコンチップ上部のドレイン側の強化クリップと組み合わせることで、パッケージ寄生が大幅に低減され、熱性能はさらに向上する。BSC(底面冷却)、センターゲートタイプで、特に並列化に最適化されている。
その他の情報
- ・卓越したFOMを実現する最先端のシリコン技術OptiMOS™を採用
・熱性能と超低寄生特性を改善したソースダウン パッケージ
・チップ/パッケージ比を最大化したソースダウン パッケージ
・センターゲート フットプリントのソースダウン パッケージ
製品カタログ・資料
- OptiMOS パワーMOSFET 25~150V PQFN 5×6mm² ソースダウン センターゲート構造
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.11MB本製品は、PQFN 5×6mm2ソースダウンパッケージの低耐圧および中耐圧パワーMOSFET。シリコンチップのアクティブ側を部品の底面側に向けていることがソースダウンパッケージの主要コンセプトであり、シリコンチップ上部のドレイン側の強化クリップと組み合わせることで、パッケージ寄生が大幅に低減され、熱性能はさらに向上する。BSC(底面冷却)、センターゲートタイプで、特に並列化に最適化されている。
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