ブートストラップダイオード内蔵160V HB/HS+LS SOIゲートドライバーIC
最終更新日:2024/02/13
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- ・ブートストラップ電圧 +160V
・ブートストラップ動作用に設計されたフローティング
・ブートストラップ内蔵
・ハイサイド、ローサイド共にUVLO搭載
・ショートパルス/ノイズ入力フィルタ
・シュミットトリガー入力
・3.3V、5V入力ロジック対応
製品カタログ・資料
- ブートストラップダイオード内蔵160V HB/HS+LS SOIゲートドライバーIC
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.54MB本製品は、MOTIX 160V HBおよびHS+LS SOI(Silicon on Insulator)を使用し、NチャンネルMOSFET用小型フットプリントVSON10(3×3mm)パッケージのゲートドライバーIC。2種類のソース/シンク電流があり、内蔵ブートストラップダイオード(38Ωtyp.)は、外付けのハイサイドブートストラップコンデンサへの供給用に使用される。保護機能には、VccおよびVBピンの両方に低電圧ロックアウト機能(UVLO)を備え、ハーフブリッジソリューションはシュートスルー保護(STP)機能に対応。JEDEC78/20/22の関連テストに準拠し、産業用アプリケーションに完全に適合。
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