GaN/LDMOSドハティPA用バイアス制御IC BGMC1210
最終更新日:2024/04/15
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- ・TX2チャンネル向けドハティPA用バイアス&コントロールチップ:10x10mm2の代わりに5x5mm2の小型パッケージ(クランピング・スイッチなど)をPAモジュール間に直接配置できます。外付けスイッチや温度センサは不要です。
・GaNおよびLDMOS PA用の正負出力範囲:すべての帯域と周波数で同じ製品を使用できるため、ソーシングが
簡素化できます。
・高速TDD動作用の内蔵クランピングスイッチとバッファ:外付けのスイッチ部品が不要なため、コストとスペースを節約できます。スイッチにより、<<1usで高速PA切り替えが可能
・PA電流および電圧測定用の内蔵60V ADC:外部分圧器やADCは不要。通信と信号配線の簡素化
・温度センサと高速I2C & I3Cシリアルインターフェース:内蔵温度補正とDACの高速設定(すなわちI2C & I3C通信インターフェース)の使用
製品カタログ・資料
- GaN/LDMOSドハティPA用バイアス制御IC BGMC1210
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:5.39MB【BGMC1210】は、パワーアンプ(PA)用のバイアス制御IC。ドハティPA用に最適化されており、PAごとに4つのDAC出力で、最大2つのPAにバイアス供給し、どのようなPA構成でも使用可能。DACの分解能は12ビットで、電流駆動能力は、ソース:50mA、シンク:20mA。DACは、独立した電源を持つ2つのグループで構成されており、LDMOSおよびGaNトランジスタにバイアス供給するために、正と負の電源電圧で動作させることができる。PAの高速TDD動作用のクランピングスイッチと、電源電圧とドレイン電流を測定するためのADCを内蔵。
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