ハイサイド/ローサイドゲートドライバー「2ED2106S06F」用評価ボード EVAL-2ED2106
最終更新日:2024/04/17
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- ・最大で+650Vの動作電圧(VSノード)
・インフィニオンのSOIテクノロジーを使用
・負のVS過渡耐性100V
・低抵抗ブートストラップダイオード内蔵
・ブートストラップ動作用に設計
・最大電源電圧25V
・低電圧ロックアウト(UVLO)
・200nsの伝播遅延
・VSピンにおいて-11Vまでロジック回路動作可能
・入力において-5Vの負電圧を許容
製品カタログ・資料
- ハイサイド/ローサイドゲートドライバー「2ED2106S06F」用評価ボード EVAL-2ED2106
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.71MB【EVAL-2ED2106】は、ハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC「2ED2106S06F」と2つのMOSFET「IPD60R360P7」が搭載された評価ボード。「インフィニオン シリコンオン インシュレータ(SOI)ゲートドライバー」の基本機能を評価し、その特長を明らかにできるよう設計されている。PWM入出力性能のテスト、伝搬遅延の確認、電流耐量/高スイッチング周波数性能を試験することが可能。ダブルパルステストにも対応。
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