OptiMOS6パワー MOSFET 120
最終更新日:2024/05/10
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- ・業界で最も低いR DS(on) (120V)
・スイッチング損失、導通損失において最適なバランスを実現し、様々なアプリケーションに対応
・150 V耐圧不要時にRDS(on)やFOMを低減
・パッケージの幅広い選択肢: FR4基板およびIMS基板向け面実装、上面冷却、スルーホール
・産業用認証とTj_max = 175℃により優れたパワーハンドリングと堅牢性を実現
製品カタログ・資料
- OptiMOS6パワー MOSFET 120
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.03MB本製品は、完全最適化された最高クラスの性能を備えたパワーMOSFET(120V)。ハードスイッチとソフトスイッチの両アプリケーション、また、高スイッチング周波数および低スイッチング周波数に適しており、ノーマルレベルとロジックレベルが利用可能。効率化により冷却の手間を低減し、並列デバイスの必要個数を減らしコストを削減。産業用電源、ソーラー、充電器、低電圧モータ制御、電動工具など、さまざまなアプリケーションで使用できる。
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