スーパージャンクションMOSFET 650V CoolMOS CFD7
最終更新日:2023/08/17
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- ・超高速ボディダイオードと非常に低いQrr
・650Vの絶縁破壊電圧
・クラス最高のRDS(on)/パッケージの組み合わせ
・競合製品よりも著しく低いスイッチング損失
・最も低いRDS(on)温度依存性
製品カタログ・資料
- スーパージャンクションMOSFET 650V CoolMOS CFD7
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.41MB本製品は、CoolMOS CFD2の後継として定評あるCoolMOS CFD7ファミリーの中でも電圧範囲を拡張した製品。このファミリーは、さらに50V高い絶縁破壊電圧、内蔵高速ボディダイオード、向上したスイッチング性能、そして優良な熱特性により、ソフトスイッチングアプリケーションにおいて最高の効率および電力密度レベルを実現している。
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