【CoolMOS C7シリーズ】は、ハードスイッチングアプリケーションに新たなレベル性能を実現したパワーMOSFET。例えば「600V CoolMOS C7」に対して、耐圧を50V向上させる場合の力率改善(PFC)などにより、全負荷範囲において多くの主要パラメータのバランスを取りながら高い効率を実現できる。クラス最高のRDS(ON)により全負荷効率を改善し、同じRDS(ON)で小型パッケージを使用できる利点を提供。出力キャパシタンスの蓄積エネルギー(EOSS)の低減が、軽負荷下で効率を向上させる。また、低Qgがスイッチング速度の向上をもたらし、きわめて低いEOSSおよびQgにより、高い周波数を使用しても効率が低下しない。磁気部品を小型化できるため、電力密度が向上する。