本製品は、最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて製造されており、アプリケーションでの損失が最小限であMOSFETる。CoolSiC MOSFETテクノロジーは、SiC(シリコンカーバイド)の強固なSiC材料物性を活用し、デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を付加しており、エンジニアは、より効率的でコンパクトな、信頼性と費用対効果の高いシステムを容易に設計できる。