本製品は、シリコンベースのソリューションとシリコンカーバイドソリューション間で理想的な橋渡しをするハイブリッドモジュール。IGBTチップとSiCダイオードを組み合わせ、IGBT技術の性能をさらに拡張。ブースターおよび3レベル構成で提供され。製品ラインアップは、SiCダイオードとIGBTチップが理想的なペアを形成するパワーモジュール製品で構成されており、太陽エネルギーシステムなどの対象アプリケーションで利用可能な最高の性能を活かしている。シリコンIGBTソリューションに比べ、ターンオン損失を低減できる。高周波数および高電流を実現。