【カタログプレビュー】650V ハイブリッド CoolSiC IGBT
本製品は、クラス最高の650V TRENCHSTOP 5 IGBT技術とともに搭載されたショットキーバリアCoolSiCダイオードのユニポーラ構造の主な利点を併せ持つIGBT。還流ダイオードとしてショットキーバリアダイオードを使うことにより、機能を拡張でき、Eonや全体スイッチング損失の大幅な低減が可能となる。本製品にアップグレードすることで、スイッチング周波数10kHzごとに効率が0.1%向上。例えば23kHzのスイッチング速度で動作するハーフブリッジコンバータの場合、シリコンIGBTを本製品に置き換えると、効率が最大0.23%向上する可能性がある。