本製品は、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用したOptiMOS パワーMOSFET。ソースダウン技術により、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、高放熱性能、電力密度の向上、最適な配置可能範囲などの利点を提供。既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％削減し、既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善。ドライブ、テレコム、SMPS、サーバーなど、さまざまなエンドアプリケーションにおける様々な問題の解決に貢献する。実装面積の異なる「スタンダードゲート構造」と「センターゲート構造」の2種類を用意。センターゲート構造は並列配置に適している。25V～100Vをラインアップ。