第2世代の高信頼性不揮発性SRAMを発売開始
2021/03/23
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
インフィニオン テクノロジーズ(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)の会社であるインフィニオン テクノロジーズLLC(Infineon Technologies LLC)は、本日、第2世代の不揮発性スタティックRAM(nvSRAM)を発売開始したことを発表しました。この新世代のデバイスはQML-Q認定を受け、高信頼性産業用仕様に準拠しており、航空宇宙用アプリケーションや産業用アプリケーションなどの過酷な環境下で必要とされる不揮発性コードストレージやデータロギングアプリケーションをサポートします。
256kb STK14C88Cおよび1Mb STK14CA8C nvSRAMは、32ピン、300ミルのデュアルインラインセラミックパッケージに封入され、MIL-PRF-38535のQML-Q仕様(-55°C~125°C)およびインフィニオンの産業規格(-40°C~85°C)に準拠しています。5Vおよび3Vのいずれのバージョンも、工業炉や鉄道制御システムのほか、航空宇宙、通信およびナビゲーションシステムのブートコード、データロギングおよび校正データの保存をサポートします。またインフィニオンは、パッケージソリューションでのシステムをサポートするために、ウェハーの販売も行っています。
「インフィニオンはこの新世代のnvSRAMによって、チャージトラップメモリにリーダーシップを拡大します」と、インフィニオン テクノロジーズLLCの航空宇宙および防衛部門バイスプレジデントフェローであるヘルムート プフナー(Helmut Puchner)は述べています。「拡張されたnvSRAMファミリーの、QML-Qおよび高信頼性産業用認定を受けたこれらのデバイスは、高性能の高信頼性メモリを必要とする過酷な動作環境にソリューションを提供するという当社のコミットメントを示すものです」
インフィニオンのnvSRAM技術は、高性能SRAMとクラス最高のSONOS不揮発性技術を組み合わせたものです。nvSRAMは通常の動作条件において、従来の非同期SRAMと同様に動作します。電源の異常が発生した場合、nvSRAMは自動的にSRAMデータのコピーを不揮発性メモリに保存し、データは20年以上にわたって保護されます。インフィニオンは、SONOSベースの不揮発性組み込みメモリやスタンドアロンメモリを20億個以上出荷しています。
供給状況
256kb STK14C88Cおよび1Mb STK14CA8C nvSRAMは、現在注文可能です。詳細については、https://japan.cypress.com/products/aerospace-defenseをご覧ください。
256kb STK14C88Cおよび1Mb STK14CA8C nvSRAMは、32ピン、300ミルのデュアルインラインセラミックパッケージに封入され、MIL-PRF-38535のQML-Q仕様(-55°C~125°C)およびインフィニオンの産業規格(-40°C~85°C)に準拠しています。5Vおよび3Vのいずれのバージョンも、工業炉や鉄道制御システムのほか、航空宇宙、通信およびナビゲーションシステムのブートコード、データロギングおよび校正データの保存をサポートします。またインフィニオンは、パッケージソリューションでのシステムをサポートするために、ウェハーの販売も行っています。
「インフィニオンはこの新世代のnvSRAMによって、チャージトラップメモリにリーダーシップを拡大します」と、インフィニオン テクノロジーズLLCの航空宇宙および防衛部門バイスプレジデントフェローであるヘルムート プフナー(Helmut Puchner)は述べています。「拡張されたnvSRAMファミリーの、QML-Qおよび高信頼性産業用認定を受けたこれらのデバイスは、高性能の高信頼性メモリを必要とする過酷な動作環境にソリューションを提供するという当社のコミットメントを示すものです」
インフィニオンのnvSRAM技術は、高性能SRAMとクラス最高のSONOS不揮発性技術を組み合わせたものです。nvSRAMは通常の動作条件において、従来の非同期SRAMと同様に動作します。電源の異常が発生した場合、nvSRAMは自動的にSRAMデータのコピーを不揮発性メモリに保存し、データは20年以上にわたって保護されます。インフィニオンは、SONOSベースの不揮発性組み込みメモリやスタンドアロンメモリを20億個以上出荷しています。
供給状況
256kb STK14C88Cおよび1Mb STK14CA8C nvSRAMは、現在注文可能です。詳細については、https://japan.cypress.com/products/aerospace-defenseをご覧ください。