3.3×3.3mm2のPQFNの新しいOptiMOSパワーMOSFETパッケージにより、25Vから100Vのバリエーションで革新的なソースダウンテクノロジーを実現
2022/01/07
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
高電力密度、最適化された性能、そして使い易さは、最新の電力システムを設計する際に重要な要件となります。エンドアプリケーションにおける設計上の課題に対する実用的なソリューションを提供するため、インフィニオン テクノロジーズAG(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)は、25~100Vの幅広い電圧に対応した、PQFN3.3×3.3mm2パッケージのOptiMOSソースダウン(SD)パワーMOSFETを発表しました。このパッケージは、高効率、高電力密度、優れた熱管理、低BOMを実現し、パワーMOSFETの性能における新たな標準を設定します。PQFNは、モータードライブ、サーバやテレコム用のSMPS、ORリング、バッテリーマネジメントシステムなどのアプリケーションに対応しています。
標準的なドレインダウンのコンセプトと比較して、最新のソースダウンパッケージ技術は、同じパッケージ外形で、より大きなシリコンダイの搭載を可能にします。さらに、デバイスの全体的な性能を制限しているパッケージによる損失も削減することができます。これにより、従来のドレインダウン パッケージと比較して、RDS(on)を最大30%削減することができます。システムレベルでは、SuperSO8 5×6mm2のフットプリントからPQFN 3.3×3.3mm2パッケージに移行し、約65%のスペース削減が可能で、フォームファクターの縮小がメリットとして挙げられます。これにより、利用可能なスペースをより有効に活用することができ、エンドシステムにおける電力密度やシステム効率を向上させることができます。
さらに、ソースダウンコンセプトでは、熱をボンドワイヤーや銅クリップ経由ではなく、サーマルパッドを通して直接プリント基板に放熱します。熱抵抗RthJCが1.8K/Wから1.4K/Wへと20%以上改善され、熱管理の簡素化が可能になります。インフィニオンは、SD 標準ゲートとSDセンターゲートの2種類のフットプリントとレイアウトオプションを提供しています。標準ゲートレイアウトは、ドレインダウンパッケージのドロップイン置換を簡素化し、センターゲートレイアウトは最適かつ容易な並列化を可能にします。これらの2つのオプションは、PCBにおける最適なデバイス配置、PCB寄生要素の最適化、および使い易さをもたらすことができます。
供給について
25~100Vの幅広い電圧に対応した、PQFN3.3×3.3mm2パッケージのOptiMOSソースダウン型パワーMOSFETは、2種類のフットプリントバージョンで提供を開始いたしました。
製品の詳細については、https://www.infineon.com/cms/jp/product/power/mosfet/n-channel/optimos-and-strongirfet-latest-packages/source-down/?redirId=121781をご覧ください。
エネルギー効率へのインフィニオンの貢献については www.infineon.com/green-energy/jpをご覧ください。
標準的なドレインダウンのコンセプトと比較して、最新のソースダウンパッケージ技術は、同じパッケージ外形で、より大きなシリコンダイの搭載を可能にします。さらに、デバイスの全体的な性能を制限しているパッケージによる損失も削減することができます。これにより、従来のドレインダウン パッケージと比較して、RDS(on)を最大30%削減することができます。システムレベルでは、SuperSO8 5×6mm2のフットプリントからPQFN 3.3×3.3mm2パッケージに移行し、約65%のスペース削減が可能で、フォームファクターの縮小がメリットとして挙げられます。これにより、利用可能なスペースをより有効に活用することができ、エンドシステムにおける電力密度やシステム効率を向上させることができます。
さらに、ソースダウンコンセプトでは、熱をボンドワイヤーや銅クリップ経由ではなく、サーマルパッドを通して直接プリント基板に放熱します。熱抵抗RthJCが1.8K/Wから1.4K/Wへと20%以上改善され、熱管理の簡素化が可能になります。インフィニオンは、SD 標準ゲートとSDセンターゲートの2種類のフットプリントとレイアウトオプションを提供しています。標準ゲートレイアウトは、ドレインダウンパッケージのドロップイン置換を簡素化し、センターゲートレイアウトは最適かつ容易な並列化を可能にします。これらの2つのオプションは、PCBにおける最適なデバイス配置、PCB寄生要素の最適化、および使い易さをもたらすことができます。
供給について
25~100Vの幅広い電圧に対応した、PQFN3.3×3.3mm2パッケージのOptiMOSソースダウン型パワーMOSFETは、2種類のフットプリントバージョンで提供を開始いたしました。
製品の詳細については、https://www.infineon.com/cms/jp/product/power/mosfet/n-channel/optimos-and-strongirfet-latest-packages/source-down/?redirId=121781をご覧ください。
エネルギー効率へのインフィニオンの貢献については www.infineon.com/green-energy/jpをご覧ください。