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フル・ブリッジSiP PWD13F60

STマイクロエレクトロニクス(株)

最終更新日:2017/12/26

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  • フル・ブリッジSiP PWD13F60
単相パワーMOSFETフル・ブリッジを搭載
【PWD13F60】は、パワーMOSFET、ゲート・ドライバ、保護回路を内蔵したフル・ブリッジSiP(システム・イン・パッケージ)。13×11mmと小型ながら、最低6.5Vから動作できる幅広い電源電圧範囲に対応、優れた柔軟性と設計の簡略化に貢献。ゲート・ドライバとブートストラップ・ダイオードを内蔵しているため外付け部品が不要で、基板設計の簡略化に加えて組立工程の効率化が可能。さらに貫通電流保護と減電圧ロックアウト(UVLO)も備えていることから、実装面積の削減と同時に、システムの安全性向上も図れる。産業用モータ・ドライバ、照明安定器、電源、コンバータ、インバータなどの部材コストおよび基板面積を削減する。

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〒 108-6018
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http://www.st-japan.co.jp/