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Powerex社製MOSFETモジュール

(株)トランシー

最終更新日:2018/06/21

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  • Powerex社製MOSFETモジュール
低い伝導損失とスイッチング損失を要求するパワーシステム向けに設計
本製品は、Powerex社製のSiC(炭化ケイ素：シリコンカーバイド)MOSFETモジュール。50または100A／1200Vの定格を用意。接合部温度範囲は、拡大：－40～＋200℃。SiCMOSFETデバイスは高い効率性・周波数・高温動作を満たしており、低い伝導損失とスイッチング損失を要求するパワーシステム向けに設計。
    　　　　　　　　
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MOSFETモジュール
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ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.47MB本製品は、Powerex社製のSiC(炭化ケイ素：シリコンカーバイド)MOSFETモジュール。50または100A／1200Vの定格を用意。接合部温度範囲は、拡大：-40〜200℃。SiCMOSFETデバイスは高い効率性・周波数・高温動作を満たしており、低い伝導損失とスイッチング損失を要求するパワーシステム向けに設計。

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企業基本情報

社名：
(株)トランシー
住所：
〒 150-0002
渋谷区渋谷1-6-7　ＩＣＩビル2Ｆ
Web：
http://www.trancy.com/

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    (3)最大のピークdi／dt： 70kA／μs
    (4)最大ピーク電流レンジ：12.0kA