周波数可変型SiC高周波インバータ装置
最終更新日:2015/07/29
このページを印刷最大出力:500V 20A(10kVA)、最高スイッチング周波数:500kHz
本製品は、超高速・低損失・大容量の高周波インバータ装置。新開発の高速大容量ゲートドライブ回路と、高耐圧高速スイッチング素子(SiC-MOS-FETとSiC-SBDの複合素子)プログラマブル周波数発生回路の組み合わせで、各種高周波電力実験に最適。出力調整はPWM方式を採用(表示分解能:0.2%)。パネル面のPWM VRで設定でき、タッチパネルでモニタ可能。また100μsec周期にて制御する出力自動制御機能を搭載可能。周波数調整はタッチパネルにより容易に行える(分解能:1Hz)。強制空冷タイプ(オプションで水冷可能)。
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製品カタログ・資料
- 周波数可変型SiC高周波インバータ装置
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.38MB本製品は、超高速・低損失・大容量の高周波インバータ装置。新開発の高速大容量ゲートドライブ回路と、高耐圧高速スイッチング素子(SiC-MOS-FETとSiC-SBDの複合素子)プログラマブル周波数発生回路の組み合わせで、各種高周波電力実験に最適。
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