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TO247-3/-4パッケージ 1200V CoolSiC MOSFET

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2023/08/17

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  • TO247-3/-4パッケージ 1200V CoolSiC MOSFET
きわめて低いスイッチング損失
本製品は、性能と信頼性とを兼ね備えるよう最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されたCoolSiC MOSFET。SiCデバイスの技術的利点は、Siデバイスに比べて電力変換システムを向上させ、高いエネルギー効率の実現に向けた新たなオプションを提供する点にあり、1200Vスイッチで見られるもっとも低いゲート電荷とデバイスの静電容量レベル、内部転流防止ボディダイオードにより逆回復損失がないこと、温度非依存の低スイッチング損失、閾値非依存のオン状態特性など。力率改善(PFC)回路、双方向トポロジ、DC／DCコンバーターまたはDC／ACインバーターなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに最適｡
    　　　　　　　　
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その他の情報

    ・きわめて低いスイッチング損失
    ・閾値非依存のオン抵抗特性
    ・幅広いゲート・ソース間電圧
    ・基準ゲート閾値電圧、VGS(th)＝4.5V
    ・0Vターンオフ・ゲート電圧による容易でシンプルなゲート駆動
    ・完全制御可能なdv／dt特性
    ・ハード整流に対する耐性の高い堅牢なボディダイオード
    ・温度非依存のターンオフ・スイッチング損失
    ・TO247-4パッケージの追加機能
    ・スイッチング性能を最適化するセンスピン

製品カタログ・資料

TO247-3／-4パッケージ 1200V CoolSiC MOSFET
TO247-3／-4パッケージ 1200V CoolSiC MOSFET

ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.39MB本製品は、性能と信頼性とを兼ね備えるよう最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されたCoolSiC MOSFET。SiCデバイスの技術的利点は、Siデバイスに比べて電力変換システムを向上させ、高いエネルギー効率の実現に向けた新たなオプションを提供する点にあり、1200Vスイッチで見られるもっとも低いゲート電荷とデバイスの静電容量レベル、内部転流防止ボディダイオードにより逆回復損失がないこと、温度非依存の低スイッチング損失、閾値非依存のオン状態特性など。力率改善(PFC)回路、双方向トポロジ、DC／DCコンバーターまたはDC／ACインバーターなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに最適｡

会社情報

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
〒 150-0002  渋谷区渋谷3-25-18　NBF渋谷ガーデンフロント

https://www.infineon.com/cms/jp/
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企業基本情報

社名：
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
住所：
〒 150-0002
渋谷区渋谷3-25-18　NBF渋谷ガーデンフロント
Web：
https://www.infineon.com/cms/jp/

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