IGBTディスクリート 1200V TRENCHSTOP IGBT6

その他の情報

・S6シリーズでは、1.85V(VCEsat)と低導通損失
・スイッチング周波数15〜40kHz向けにスイッチング損失と導通損失の最適な組み合わせを実現
・高いRG制御性
・低いEM
・フル定格で堅牢なフリーホイーリングダイオード
・簡単なプラグアンドプレイで、先行品のHighSpeed3 H3 IGBTから置き換え可能
・HighSpeed3 H3 IGBTから、TO-247-31のS6に変更することで、システム効率が15％向上
・HighSpeed3 H3 IGBTから、4ピンTO-247PLUSのS6に変更することで、システム効率が0.20％向上

製品カタログ・資料

IGBTディスクリート 1200V TRENCHSTOP IGBT6

ファイル形式：pdf ファイルサイズ：3.15MB【1200V TRENCHSTOP IGBT6】は、「Highspeed3 H3」の低いスイッチング損失と、1.85V(VCEsat)の低い導通損失を組み合わせたIGBTディスクリート。通損失が適化された「S6シリーズ」、スイッチング損失が改善された「H6シリーズ」の2つの製品ファミリーをリリースしており、H6シリーズは低スイッチング損失に最適化され、前世代の「H3」に比べて総スイッチング損失が約15％低い。設計変更することなくHighspeed3 H3からIGBT6製品への置き換えが可能となり、プラグアンドプレイの置き換えをすることにより、最大で0.2％の効率改善を図れる。

会社情報

インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカードセキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

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