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IGBTディスクリート 1200V TRENCHSTOP IGBT6

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2019/10/03

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  • IGBTディスクリート 1200V TRENCHSTOP IGBT6
低いスイッチング損失と導通損失により効率が向上
1200V TRENCHSTOP IGBT6】は、「Highspeed3 H3」の低いスイッチング損失と、1.85V(VCEsat)の低い導通損失を組み合わせたIGBTディスクリート。通損失が適化された「S6シリーズ」、スイッチング損失が改善された「H6シリーズ」の2つの製品ファミリーをリリースしており、H6シリーズは低スイッチング損失に最適化され、前世代の「H3」に比べて総スイッチング損失が約15%低い。設計変更することなくHighspeed3 H3からIGBT6製品への置き換えが可能となり、プラグアンドプレイの置き換えをすることにより、最大で0.2%の効率改善を図れる。

その他の情報

    ・S6シリーズでは、1.85V(VCEsat)と低導通損失
    ・スイッチング周波数15~40kHz向けにスイッチング損失と導通損失の最適な組み合わせを実現
    ・高いRG制御性
    ・低いEM
    ・フル定格で堅牢なフリーホイーリングダイオード
    ・簡単なプラグアンドプレイで、先行品のHighSpeed3 H3 IGBTから置き換え可能
    ・HighSpeed3 H3 IGBTから、TO-247-31のS6に変更することで、システム効率が15%向上
    ・HighSpeed3 H3 IGBTから、4ピンTO-247PLUSのS6に変更することで、システム効率が0.20%向上

製品カタログ・資料

IGBTディスクリート 1200V TRENCHSTOP IGBT6
IGBTディスクリート 1200V TRENCHSTOP IGBT6

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:3.15MB【1200V TRENCHSTOP IGBT6】は、「Highspeed3 H3」の低いスイッチング損失と、1.85V(VCEsat)の低い導通損失を組み合わせたIGBTディスクリート。通損失が適化された「S6シリーズ」、スイッチング損失が改善された「H6シリーズ」の2つの製品ファミリーをリリースしており、H6シリーズは低スイッチング損失に最適化され、前世代の「H3」に比べて総スイッチング損失が約15%低い。設計変更することなくHighspeed3 H3からIGBT6製品への置き換えが可能となり、プラグアンドプレイの置き換えをすることにより、最大で0.2%の効率改善を図れる。

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車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

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〒 141-0032  品川区大崎1-11-2 ゲートシティ大崎イーストタワー21F

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