その他の情報
- ・低キャパシタンス
・より大電流でのスイッチング動作を最適化
・逆回復電荷(Qrr)の低い、コミュテーションの堅牢性が高い高速ボディダイオード
・卓越したゲート酸化膜信頼性
・卓越した温度特性
・アバランシェ容量の増加
・標準ドライバで機能
・高性能、高信頼性、使いやすさ
・高いシステム効率を実現
・システムのコストと複雑さを低減
・システムサイズの小型化を実現
・連続的なハードコミュテーションのあるトポロジで機能
・高温で過酷な運用に適合
・双方向のトポロジに対応
製品カタログ・資料
- CoolSiC MOSFET 650V
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:3.24MB本製品は、最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて製造されており、アプリケーションでの損失が最小限であMOSFETる。CoolSiC MOSFETテクノロジーは、SiC(シリコンカーバイド)の強固なSiC材料物性を活用し、デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を付加しており、エンジニアは、より効率的でコンパクトな、信頼性と費用対効果の高いシステムを容易に設計できる。
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会社情報
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