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600V CoolMOS PFD7 スーパージャンクションMOSFET

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2020/03/17

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  • 600V CoolMOS PFD7 スーパージャンクションMOSFET
超高電力密度設計の次のレベルを実現
本製品は、600Vスーパージャンクション(SJ)テクノロジーにおける新しい業界標準を定めるもので、超高電力密度設計と低電力モータ駆動専用のMOSFET。「PFD7高電圧NチャネルMOSFETシリーズ」は、クラス最高の性能と最先端の使いやすさを兼備。堅牢なデバイスとするための高速ボディダイオードが内蔵されており、部品点数の削減につながる。

その他の情報

    ・非常に低い性能指数(FOM)RDS(on)x Eoss
    ・堅牢な内蔵高速ボディダイオード
    ・最大2kVのESD保護
    ・幅広いRDS(on)の値
    ・優れたコミュテーションの堅牢性
    ・低EMI
    ・幅広いパッケージポートフォリオ

    ・きわめて低いスイッチング損失
    ・既存の CoolMOS充電器テクノロジーと比較して電力密度が改善
    ・低消費電力のドライブアプリケーションで、CoolMOS CEテクノロジーと比較して効率が向上し、熱特性が改善
    ・部品コストの削減と製造の容易化
    ・堅牢性と信頼性
    ・設計の微調整にあたって適切な部品選定が容易

製品カタログ・資料

600V CoolMOS PFD7 スーパージャンクションMOSFET
600V CoolMOS PFD7 スーパージャンクションMOSFET

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.33MB本製品は、600Vスーパージャンクション(SJ)テクノロジーにおける新しい業界標準を定めるもので、超高電力密度設計と低電力モータ駆動専用のMOSFET。「PFD7高電圧NチャネルMOSFETシリーズ」は、クラス最高の性能と最先端の使いやすさを兼備。堅牢なデバイスとするための高速ボディダイオードが内蔵されており、部品点数の削減につながる。

会社情報

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

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〒 141-0032  品川区大崎1-11-2 ゲートシティ大崎イーストタワー21F

https://www.infineon.com/cms/jp/
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    社名:
    インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
    住所:
    〒 141-0032
    品川区大崎1-11-2 ゲートシティ大崎イーストタワー21F
    Web:
    https://www.infineon.com/cms/jp/

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