600V CoolMOS PFD7 スーパージャンクションMOSFET
最終更新日:2023/08/17
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- ・非常に低い性能指数(FOM)RDS(on)x Eoss
・堅牢な内蔵高速ボディダイオード
・最大2kVのESD保護
・幅広いRDS(on)の値
・優れたコミュテーションの堅牢性
・低EMI
・幅広いパッケージポートフォリオ
・きわめて低いスイッチング損失
・既存の CoolMOS充電器テクノロジーと比較して電力密度が改善
・低消費電力のドライブアプリケーションで、CoolMOS CEテクノロジーと比較して効率が向上し、熱特性が改善
・部品コストの削減と製造の容易化
・堅牢性と信頼性
・設計の微調整にあたって適切な部品選定が容易
製品カタログ・資料
- 600V CoolMOS PFD7 スーパージャンクションMOSFET
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.33MB本製品は、600Vスーパージャンクション(SJ)テクノロジーにおける新しい業界標準を定めるもので、超高電力密度設計と低電力モータ駆動専用のMOSFET。「PFD7高電圧NチャネルMOSFETシリーズ」は、クラス最高の性能と最先端の使いやすさを兼備。堅牢なデバイスとするための高速ボディダイオードが内蔵されており、部品点数の削減につながる。
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