600V CoolMOS CFD7 スーパージャンクションMOSFET IPP60R360CFD7
最終更新日:2023/08/17
このページを印刷仕様
用途 | ≪対象アプリケーション≫ サーバー テレコム EV充電 SMPS PC電源 |
---|---|
その他の情報
- ≪主な特長≫
・超高速ボディダイオード
・同製品クラスでもっとも優れた逆回復電荷量(Qrr)
・ダイオード逆回復時の優れたdv/dt およびdif/dt耐量
・低い性能指数FOM:RDS(on)x QgおよびEoss
・同製品クラスで最小のパッケージ面積あたりのRDS(on)値
≪主な利点≫
・同製品クラスで最高のハードコミューテーション耐性
・共振トポロジー向けの高い信頼性
・使いやすさ/性能の優れたトレードオフによる高い効率
・高電力密度ソリューションを実現
製品カタログ・資料
- 600V CoolMOS CFD7 スーパージャンクションMOSFET IPP60R360CFD7
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.23MB【IPP60R360CFD7】は、CFD2 SJ高耐圧パワーMOSFETファミリーの後継品として開発された600V CoolMOS CFD7スーパージャンクションMOSFET。競合製品に比べてゲート電荷が低く、優れたターンオフ動作、最大69%の逆回復電荷低減を実現。サーバー、テレコム、EV充電ステーションなどの高出力SMPSに使用される共振トポロジーに適し、効率向上が図れる。
関連製品カタログ・資料
24GHzデモプラットフォーム Distance2GoL
X3 アナログおよびデジタルドライバファミリー EiceDRIVER
モーターコントロールIC MOTIX BTN9970LV(NovalithIC+)
IGBTディスクリート 650V TRENCHSTOP 5 WR6ファミリー
MADKコントロールボード EVAL-M7-D112T
48VスマートハイサイドMOSFETゲートドライバー 2ED4820-EM
60V/120V 車載用MOSFET
ARMベース32ビット車載MCU Traveo II
AURIX MCU向け統合ハーフブリッジ TLF11251LD/EP
1200V/750A デュアルIGBTモジュール IFF750B12ME7_B11
会社情報
インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。
〒 150-0002 渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント
https://www.infineon.com/cms/jp/詳細はこちら
製品ご紹介
650V CoolSiC MOSFETディスクリート
1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7ディスクリート IKQ120N120CH7/IKY120N120CH7
25Vシングルチャネル ローサイドゲートドライバー EiceDRIVER 1ED44175N01B
マイクロコントローラ 32ビットTriCore AURIX TC33xLP
Nチャネル パワーMOSFET OptiMOS 5 25V/30V
4P4T MIPI アンテナ クロス スイッチ BGSX44MU18
アナログ/デジタル絶縁ゲートドライバファミリー EiceDRIVER X3
DC/DCコンバータ OPTIREG Switcher TLS412xDxx
StrongIRFET 2 パワーMOSFET 60V TO-220パッケージ
【車載向け】リニア電圧レギュレータ TLS715B0NAV50