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1700V CoolSiC トレンチMOSFET

最終更新日:2023/08/17

高効率で単純なシングルエンドフライバックトポロジを実現

本製品は、三相電源システムの制御ロジック、ディスプレイおよび冷却ファン用の電力を生成する補助電源回路を対象とした1700V CoolSiC トレンチMOSFET。1000VDC入力電圧まで使用可能。1500V Si MOSFETに比べてオン抵抗とデバイス容量が低いため、損失は50％以上低減され、ヒートシンクなしの自然対流冷却を使用したコンパクトなSMD統合が可能。一般的なPWMコントローラと互換性がある＋12V ／ 0Vゲートソース間電圧を使用したフライバックトポロジ用に最適化されており、ゲートドライバICは不要。1700V安全要求事項(7mm超の沿面距離と空間距離)を満たしており、PCB設計における絶縁作業を最小限に抑えられる。

半導体デバイス│ディスクリート:MOSFET│

仕様

型番	・フライバックトポロジ用に最適化されている・極めて低いスイッチング損失・一般的なPWMコントローラと互換性がある12V / 0Vゲートソース間電圧・EMI最適化のための完全に制御可能なdV/dt ・沿面距離と空間距離の強化(7mm超)が行われているSMDパッケージ

製品カタログ・資料

: 1700V CoolSiC トレンチMOSFET
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.23MB本製品は、三相電源システムの制御ロジック、ディスプレイおよび冷却ファン用の電力を生成する補助電源回路を対象とした1700V CoolSiC トレンチMOSFET。1000VDC入力電圧まで使用可能。1500V Si MOSFETに比べてオン抵抗とデバイス容量が低いため、損失は50%以上低減され、ヒートシンクなしの自然対流冷却を使用したコンパクトなSMD統合が可能。一般的なPWMコントローラと互換性がある+12V / 0Vゲートソース間電圧を使用したフライバックトポロジ用に最適化されており、ゲートドライバICは不要。1700V安全要求事項(7mm超の沿面距離と空間距離)を満たしており、PCB設計における絶縁作業を最小限に抑えられる。

会社情報

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