CoolSiC MOSFET
最終更新日:2023/08/17
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- ・1200Vシリコンカーバイドトレンチ技術
・最高のゲート酸化膜信頼性
・熱伝導材料(TIM)の事前塗布有り/無し
・4個のベースプレート取り付け穴
・ハーフブリッジ構成
・20nHの低インダクタンスモジュール設計と対称な内部構造
・きわめて低損失の高速スイッチングモジュール
製品カタログ・資料
- CoolSiC MOSFET
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.54MB本製品は、システムの複雑性を減少させ、中高パワーシステムのシステムコストおよびサイズを低減することができるMOSFET。優れたトレンチテクノロジーと厚いゲート酸化膜の組み合わせにより、高い信頼性を提供。また、CoolSiCボディダイオードは長期的に安定しており、ドリフトしない。このモジュールファミリは、EV充電、エネルギー貯蔵システム、ソーラーセントラルインバータ、トラクション用補助電源、サーバおよびITインフラ、業務用調理を対象としている。
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