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設計技術者向け評価プラットフォーム EVAL_HB_ParallelGaN

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2023/08/17

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  • 設計技術者向け評価プラットフォーム EVAL_HB_ParallelGaN
1つのドライバで2つの並列GaNデバイスの駆動が可能
【EVAL_HB_ParallelGaN】は、MHzレベルまでの並列構成において、個々のデバイスが行っている動的、静的電流シェアリングを調べることができる評価ボード。絶縁された制御とハイ／ローサイドドライバ電源と共に設計されており、高dv／dtによるシュートスルー電流リスクを最小化するために、OFF時にはゲートに負電圧をかける。ハイパワーでの連続動作が望まれる場合、絶縁性サーマルパッドを備えたヒートシンクをデバイスに取り付けることも可能。デバイスのソース端子を通じてのカップリングは発振を生じる可能性があり、これを阻止するためにゲートコモンモードインダクタが含まれている。
    　　　　　　　　
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その他の情報

    ・ハーフブリッジ環境におけるGaN並列化の利点と問題点の評価
    ・バック、ブーストまたはパルス動作をハードまたはソフトスイッチングで設定可能
    ・静的、動的電流シェアリングを別個のシャント抵抗器を通じて監視
    ・調整可能なデッドタイム

製品カタログ・資料

設計技術者向け評価プラットフォーム EVAL_HB_ParallelGaN
設計技術者向け評価プラットフォーム EVAL_HB_ParallelGaN

ファイル形式：pdf ファイルサイズ：4.44MB【EVAL_HB_ParallelGaN】は、MHzレベルまでの並列構成において、個々のデバイスが行っている動的、静的電流シェアリングを調べることができる評価ボード。絶縁された制御とハイ／ローサイドドライバ電源と共に設計されており、高dv／dtによるシュートスルー電流リスクを最小化するために、OFF時にはゲートに負電圧をかける。ハイパワーでの連続動作が望まれる場合、絶縁性サーマルパッドを備えたヒートシンクをデバイスに取り付けることも可能。デバイスのソース端子を通じてのカップリングは発振を生じる可能性があり、これを阻止するためにゲートコモンモードインダクタが含まれている。

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インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

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〒 150-0002  渋谷区渋谷3-25-18　NBF渋谷ガーデンフロント

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