デュアル チャネル絶縁SiC MOSFET 2EDF9275F/2EDS9265H
最終更新日:2023/08/17
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【2EDF9275F/2EDS9265H】は、高性能パワー変換アプリケーション向け4A/8Aソース/シンク・デュアルチャネルゲートドライバ。37nsの小さな伝播遅延とともに、温度および保護機能のタイミング精度が高く安定しているため、ガルバニック絶縁されたステージ内およびステージ間において、または複数相/複数レベルトポロジにおいてさらに効率を高めることができる。DSO-16パッケージに搭載された機能的かつ強化された絶縁ドライバは、一次側および(安全な) 二次側制御の両方に最適。ゲートドライバ出力は、5Aの高い逆電流耐性と高dv/dtパワーループに対する150V/ns CMTIの堅牢性によって実現される。
その他の情報
- ・正確なタイミングでの高速パワースイッチング
・地域およびシステムBOMに応じて最適化
・スイッチングノイズに対する堅牢性
・出力間チャネル絶縁
・入出力間チャネル絶縁
製品カタログ・資料
- デュアル チャネル絶縁SiC MOSFET 2EDF9275F/2EDS9265H
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.27MB【2EDF9275F/2EDS9265H】は、高性能パワー変換アプリケーション向け4A/8Aソース/シンク・デュアルチャネルゲートドライバ。37nsの小さな伝播遅延とともに、温度および保護機能のタイミング精度が高く安定しているため、ガルバニック絶縁されたステージ内およびステージ間において、または複数相/複数レベルトポロジにおいてさらに効率を高めることができる。DSO-16パッケージに搭載された機能的かつ強化された絶縁ドライバは、一次側および(安全な) 二次側制御の両方に最適。ゲートドライバ出力は、5Aの高い逆電流耐性と高dv/dtパワーループに対する150V/ns CMTIの堅牢性によって実現される。
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