MOSFET 600V CoolMOS CFD7
最終更新日:2023/08/17
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- ・超高速ボディダイオード
・同製品クラスでもっとも優れた逆回復電荷量(Qrr)
・ダイオード逆回復時の優れたdv/dt およびdif/dt耐量
・低い性能指数FOM:RDS(on)x Qg および Eoss
・同製品クラスで最小のパッケージ面積あたりのRDS(on)値
製品カタログ・資料
- MOSFET 600V CoolMOS CFD7
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.23MB【600V CoolMOS CFD7】は、低いゲート電荷(Qg)、優れたターンオフ動作、競合製品と比較して最大69%低い逆回復電荷(Qrr)が特長で、市場で最も低い逆回復時間(trr)を実現したMOSFET。LLCやZVS位相シフト・フルブリッジなどのソフトスイッチングトポロジにおいて、最高の効率とクラス最高の信頼性を提供する。
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