車載用MOSFET FF08MR12W1MA1_B11A
最終更新日:2023/08/17
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- ・高いゲート閾値電圧により寄生ターンオンを防止(Vth=4.4V)
・IGBT互換の駆動電圧(VGS=-5/+15V)
・低い逆回復電荷の固有ダイオード
・RDS(on)=7.33mΩ(typical)
・低い浮遊インダクタンス5nH
・ブロッキング電圧 1200V
・低いスイッチング損失
・低いゲート入力電荷量 Qgおよび静電容量 Crss
・Tvjop=150℃
・NTC温度センサ内蔵
・RoHS準拠
製品カタログ・資料
- 車載用MOSFET FF08MR12W1MA1_B11A
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.86MB【FF08MR12W1MA1_B11A】は、新しいCoolSiC Automotive MOSFET 1200V技術、NTC温度センサ、実績あるPressFITコンタクト技術を組み合わせたハーフブリッジモジュール。CoolSiCが車載用規格へ完全準拠したことにより、使用できるアプリケーション分野が、HV/HV DC/DCステップアップコンバータ、多相インバータ、燃料電池コンプレッサなどの高速スイッチング補助ドライブなど、高効率と高スイッチング周波数が要求される高耐圧車載用アプリケーションにまで拡大されている。
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