OptiMOS パワーMOSFET 40V IQE013N04LM6/IQE013N04LM6CGATMA1
最終更新日:2023/08/17
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高い電流耐量
【IQE013N04LM6／IQE013N04LM6CGATMA1】は、PQFN 3.3×3.3mmソースダウンパッケージ搭載のパワーMOSFET。ソースダウン型ラインアップにおける拡張機種。優れた性能とレイアウト最適化の可能性を持つため、より高いシステム効率と電力密度の著しい向上に貢献する。
その他の情報
- ・最大25％の RDS(on) の大幅な削減
・Rth(j-c)の優れた熱性能
・レイアウト最適化の可能性
・標準ゲートおよびセンターゲートフットプリント
製品カタログ・資料
- OptiMOS パワーMOSFET 40V IQE013N04LM6／IQE013N04LM6CGATMA1
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.41MB【IQE013N04LM6／IQE013N04LM6CGATMA1】は、PQFN 3.3×3.3mmソースダウンパッケージ搭載のパワーMOSFET。ソースダウン型ラインアップにおける拡張機種。優れた性能とレイアウト最適化の可能性を持つため、より高いシステム効率と電力密度の著しい向上に貢献する。
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