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シリコンカーバイド MOSFETディスクリート CoolSiC MOSFET 1200V

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2020/12/15

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  • シリコンカーバイド MOSFETディスクリート CoolSiC MOSFET 1200V
ハードウェアトポロジおよび共振スイッチングトポロジの両方に最適
本製品は、D2PAK-7Lパッケージに搭載した1200Vクラスのシリコンカーバイド MOSFETディスクリート。30~350mΩの幅広いRDS(on)のポートフォリオは、広範囲な電力の産業用電源や充電器はもちろん、サーボドライブのさまざまなアンペア定格などにおいても最高効率を可能にする。CoolSiCトレンチMOSFET技術は、動作中にの性能と信頼性の両方が得られるように最適化されており、3μsの短絡耐量がそれを補完している。.XT相互接続技術により、小型パッケージの熱性能が著しく向上し、標準的パッケージの相互接続と比べ、チップパッケージの相互接続を介してさらに30%増の電力損失が許容できる。クラス最高レベルの熱性能およびサイクル能力を持っており、標準的な相互接続技術と比べて、最大14%という高い出力電流、2倍のスイッチング周波数、10~15℃の低い動作温度を特長としている。

その他の情報

    ・きわめて低いスイッチング損失
    ・短絡耐量3μs
    ・完全に制御可能なdV/dt
    ・業界標準となるゲートしきい値電圧、VGS(th)=4.5V
    ・寄生ターンオンに対する堅牢性、0Vターンオフゲート電圧を印加可能
    ・転流用本格使用に備えた堅牢なボディダイオード
    ・.XT接続テクノロジーによりクラス最高の熱性能
    ・1200V用に最適化された新しいSMDパッケージ に、パッケージ沿面距離と空間距離、>6.1mm
    ・最適化されたスイッチング性能のためのセンスピン

製品カタログ・資料

シリコンカーバイド MOSFETディスクリート CoolSiC MOSFET 1200V
シリコンカーバイド MOSFETディスクリート CoolSiC MOSFET 1200V

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.26MB本製品は、D2PAK-7Lパッケージに搭載した1200Vクラスのシリコンカーバイド MOSFETディスクリート。30~350mΩの幅広いRDS(on)のポートフォリオは、広範囲な電力の産業用電源や充電器はもちろん、サーボドライブのさまざまなアンペア定格などにおいても最高効率を可能にする。CoolSiCトレンチMOSFET技術は、動作中にの性能と信頼性の両方が得られるように最適化されており、3μsの短絡耐量がそれを補完している。.XT相互接続技術により、小型パッケージの熱性能が著しく向上し、標準的パッケージの相互接続と比べ、チップパッケージの相互接続を介してさらに30%増の電力損失が許容できる。クラス最高レベルの熱性能およびサイクル能力を持っており、標準的な相互接続技術と比べて、最大14%という高い出力電流、2倍のスイッチング周波数、10~15℃の低い動作温度を特長としている。

会社情報

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車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

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〒 141-0032  品川区大崎1-11-2 ゲートシティ大崎イーストタワー21F

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