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シリコンカーバイド MOSFETディスクリート CoolSiC MOSFET 1200V

最終更新日:2023/08/17

ハードウェアトポロジおよび共振スイッチングトポロジの両方に最適

本製品は、D2PAK-7Lパッケージに搭載した1200Vクラスのシリコンカーバイド MOSFETディスクリート。30〜350mΩの幅広いRDS(on)のポートフォリオは、広範囲な電力の産業用電源や充電器はもちろん、サーボドライブのさまざまなアンペア定格などにおいても最高効率を可能にする。CoolSiCトレンチMOSFET技術は、動作中にの性能と信頼性の両方が得られるように最適化されており、3μsの短絡耐量がそれを補完している。.XT相互接続技術により、小型パッケージの熱性能が著しく向上し、標準的パッケージの相互接続と比べ、チップパッケージの相互接続を介してさらに30％増の電力損失が許容できる。クラス最高レベルの熱性能およびサイクル能力を持っており、標準的な相互接続技術と比べて、最大14％という高い出力電流、2倍のスイッチング周波数、10〜15℃の低い動作温度を特長としている。

半導体デバイス│ディスクリート:MOSFET│

その他の情報

製品カタログ・資料

: シリコンカーバイド MOSFETディスクリート CoolSiC MOSFET 1200V
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.26MB本製品は、D2PAK-7Lパッケージに搭載した1200Vクラスのシリコンカーバイド MOSFETディスクリート。30～350mΩの幅広いRDS(on)のポートフォリオは、広範囲な電力の産業用電源や充電器はもちろん、サーボドライブのさまざまなアンペア定格などにおいても最高効率を可能にする。CoolSiCトレンチMOSFET技術は、動作中にの性能と信頼性の両方が得られるように最適化されており、3μsの短絡耐量がそれを補完している。.XT相互接続技術により、小型パッケージの熱性能が著しく向上し、標準的パッケージの相互接続と比べ、チップパッケージの相互接続を介してさらに30％増の電力損失が許容できる。クラス最高レベルの熱性能およびサイクル能力を持っており、標準的な相互接続技術と比べて、最大14％という高い出力電流、2倍のスイッチング周波数、10～15℃の低い動作温度を特長としている。

会社情報

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