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絶縁ゲートドライバファミリー EiceDRIVER X3 Compact

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2023/08/17

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  • 絶縁ゲートドライバファミリー EiceDRIVER X3 Compact
内蔵フィルタにより部品構成の最適化に貢献
EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)ファミリー】は、次世代型のデザインインが容易なシングルチャネル絶縁ゲートドライバファミリー。アクティブミラークランプまたは分離した出力を有する。最大14Aの代表的なピーク出力電流と、優れた伝播遅延整合特性を持っており、従来のIGBT、MOSFET、SiC MOSFET、IGBT7に最適。SiC MOSFETおよびIGBT7の0Vターンオフには、アクティブミラークランプ機能が強く推奨されており、この機能により寄生ターンオンが回避され、アプリケーションの安全性が向上する。

その他の情報

    ・IGBT(IGBT7含む)、SiCおよびSi MOSFET用
    ・14Aの代表的な出力電流、7nsの伝播遅延整合
    ・90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns
    ・40Vの絶対最大出力電源電圧
    ・ソース出力とシンク出力の分離またはアクティブ ミラークランプ
    ・沿面距離が長い(>8mm)DSO-8 300milワイドボディパッケージ
    ・ヒステリシス付き8Vまたは10.5Vの低電圧ロックアウト(UVLO)保護

製品カタログ・資料

絶縁ゲートドライバファミリー EiceDRIVER X3 Compact
絶縁ゲートドライバファミリー EiceDRIVER X3 Compact

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.43MB【EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)ファミリー】は、次世代型のデザインインが容易なシングルチャネル絶縁ゲートドライバファミリー。アクティブミラークランプまたは分離した出力を有する。最大14Aの代表的なピーク出力電流と、優れた伝播遅延整合特性を持っており、従来のIGBT、MOSFET、SiC MOSFET、IGBT7に最適。SiC MOSFETおよびIGBT7の0Vターンオフには、アクティブミラークランプ機能が強く推奨されており、この機能により寄生ターンオンが回避され、アプリケーションの安全性が向上する。

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車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

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〒 150-0002  渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント

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