650V逆導電型IGBT R6

その他の情報

・IGBTの性能を向上させ、電力損失とEMI性能のベストトレードオフを実現
・ダイオードの性能を向上させ、Vfとゲート電圧の依存性を低減
・IGBTとダイオードの2チップ構成のデバイスと同等のダイオード順方向回復ピークと時間
・30A、40A、50Aデバイスの製品ラインアップ
・Tj(max) = 175℃
・ブロッキング電圧650V
・TO247-3ピンパッケージ

製品カタログ・資料

650V逆導電型IGBT R6

ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.79MB【R6ファミリー】は、モノリシックに統合されたダイオードを備えた逆導電型IGBT。低いVcesatと電力損失を提供し、ダイオードの性能を向上。ハーフブリッジトポロジーを使用するすべてのソフトスイッチングアプリケーションにおいて、電力損失とEMI動作の完璧なトレードオフを実現する。誘導加熱アプリケーション用に特別に設計されており、高効率(ソフトスイッチング状態で可能な限り低い損失)、高出力(最適な熱挙動)、信頼性(標準的なインフィニオンの品質レベル)、生産能力(新しい12インチ生産ライン)などの要件を満たしている。

会社情報

インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカードセキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

インフィニオンテクノロジーズジャパン(株)
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