650V逆導電型IGBT R6
最終更新日:2023/08/17
このページを印刷電力損失とEMI性能のベストトレードオフを実現
【R6ファミリー】は、モノリシックに統合されたダイオードを備えた逆導電型IGBT。低いVcesatと電力損失を提供し、ダイオードの性能を向上。ハーフブリッジトポロジーを使用するすべてのソフトスイッチングアプリケーションにおいて、電力損失とEMI動作の完璧なトレードオフを実現する。誘導加熱アプリケーション用に特別に設計されており、高効率(ソフトスイッチング状態で可能な限り低い損失)、高出力(最適な熱挙動)、信頼性(標準的なインフィニオンの品質レベル)、生産能力(新しい12インチ生産ライン)などの要件を満たしている。
その他の情報
- ・IGBTの性能を向上させ、電力損失とEMI性能のベストトレードオフを実現
・ダイオードの性能を向上させ、Vfとゲート電圧の依存性を低減
・IGBTとダイオードの2チップ構成の デバイスと同等のダイオード順方向回復ピークと時間
・30A、40A、50Aデバイスの製品ラインアップ
・Tj(max) = 175℃
・ブロッキング電圧650V
・TO247-3ピンパッケージ
製品カタログ・資料
- 650V逆導電型IGBT R6
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.79MB【R6ファミリー】は、モノリシックに統合されたダイオードを備えた逆導電型IGBT。低いVcesatと電力損失を提供し、ダイオードの性能を向上。ハーフブリッジトポロジーを使用するすべてのソフトスイッチングアプリケーションにおいて、電力損失とEMI動作の完璧なトレードオフを実現する。誘導加熱アプリケーション用に特別に設計されており、高効率(ソフトスイッチング状態で可能な限り低い損失)、高出力(最適な熱挙動)、信頼性(標準的なインフィニオンの品質レベル)、生産能力(新しい12インチ生産ライン)などの要件を満たしている。
関連製品カタログ・資料
USB-C PD対応マイコン EZ-PD PMG1-B1
7×8mm2パワーMOSFETパッケージ OptiMOS 6 40V
高堅牢・組込みセキュリティソリューション OPTIGA TPM SLB 9673 FW26.xx
AC-DC Integrated Power Stage CoolSET
インテリジェントパワーモジュール CIPOS Micro
XENSIV MEMSマイクロフォン IM72D128V01
リファレンスボード REF_TW_BCR601_55V_0.5A
50Wワイヤレス充電トランスミッターIC WLC1150
40V/60V StrongIRFET 2 パワーMOSFET
650V TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT用評価ボード
会社情報
インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。
〒 150-0002 渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント
https://www.infineon.com/cms/jp/詳細はこちら