ソフトスイッチング産業用アプリケーション向け600V CoolMOS IPDQ60R010S7
最終更新日:2023/08/17
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- ・きわめて低いRDS(on)
・コンパクトな上面冷却QDPAKパッケージ
・導通性能に最適化
・熱性能の最適化
・高いパルス電流耐性
・ケルビンソース端子により、大電流時のスイッチング性能が向上
製品カタログ・資料
- ソフトスイッチング産業用アプリケーション向け600V CoolMOS IPDQ60R010S7
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.18MB【IPDQ60R010S7】は、上面冷却QDPAKパッケージを採用し、低周波スイッチングアプリケーションやソリッドステートソリューションに適した低RDS(on) 600V SJ MOSFET。低伝導損失に最適化されており、高耐圧SJ MOSFETとしては市場で最高レベルの低RDS(on)を実現。低RDS(on)および価格面でのメリットを備えており、ソリッドステートのサーキットブレーカーやリレー、PLC、バッテリー保護、大電力電源のアクティブブリッジ整流などに最適。
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