EasyDUAL CoolSiC MOSFETパワーモジュール1200V
最終更新日:2023/08/17
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- ・Easy 1B、2Bモジュールパッケージ
・1200 V CoolSiC トレンチ MOSFET
・ハーフブリッジ構成?高性能窒化アルミニウム(AIN)セラミック
・PressFITテクノロジー
製品カタログ・資料
- EasyDUAL CoolSiC MOSFETパワーモジュール1200V
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.53MB本製品は、ハーフブリッジ構成で窒化アルミニウム(AlN)セラミック基板を使用したMOSFETモジュール。太陽光発電、UPS、電鉄用補助インバータ、ESSやEVチャージャーなどの高電力密度のアプリケーションをサポートする。Easy 1BパッケージではRDS(on)が11mΩ、Easy 2Bパッケージでは6mΩを実現。Rthjh を40%改善し、その結果、出力電力を増加させ、製品寿命を向上させる。最高クラスのCoolSiCトレンチMOSFET技術を採用しており、優れたゲート酸化膜信頼性を実現。
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