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OptiMOS5パワーMOSFET 80V IPT010N08NM5

最終更新日:2023/08/17

低オン抵抗を実現、高いスイッチング周波数に最適

【IPT010N08NM5】は、25℃および175℃で低いオンステート抵抗R_DS(on)を実現したOptiMOS5パワーMOSFET。OptiMOS 5シリコン技術は、テレコムおよびサーバー電源の同期整流用に設計されている。TOLLパッケージと組み合わせることで、フォークリフト、小型電気自動車(LEV)、e-バイク、ドローンなどに搭載される低電圧駆動装置やバッテリー管理システム(BMS)などの高電流アプリケーション(最大425A)をターゲットにしている。D²PAK 7ピンパッケージと比較して60％のスペース削減を実現しており、最高の効率性、優れたEMI動作、最高の熱性能、スペース削減が要求される場合に最適。

半導体デバイス│ディスクリート:MOSFET│

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製品カタログ・資料

: OptiMOS5パワーMOSFET 80V IPT010N08NM5
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.03MB【IPT010N08NM5】は、25℃および175℃で低いオンステート抵抗RDS(on)を実現したOptiMOS5パワーMOSFET。OptiMOS 5シリコン技術は、テレコムおよびサーバー電源の同期整流用に設計されている。TOLLパッケージと組み合わせることで、フォークリフト、小型電気自動車(LEV)、e-バイク、ドローンなどに搭載される低電圧駆動装置やバッテリー管理システム(BMS)などの高電流アプリケーション(最大425A)をターゲットにしている。D2PAK 7ピンパッケージと比較して60％のスペース削減を実現しており、最高の効率性、優れたEMI動作、最高の熱性能、スペース削減が要求される場合に最適。

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