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IGBT4搭載IHV-B 3.3kVシングルスイッチモジュール

最終更新日:2023/08/17

過負荷や故障に対する優れた堅牢性

本製品は、TRENCHSTOP IGBT4とEmitter Con-trolled 4ダイオードを搭載したIHV-B 3.3kVシングルスイッチ。「FZ2400R33HE4」は、1800Aの競合デバイスに比べ、同じパッケージで45％の性能向上を実現。「FZ825R33HE4D」は、ダイオード容量が増え、同社や競合メーカーの1000Aデバイスと同じ性能となっている。「FZ1600R33HE4」は、1500Aの競合デバイスと比較して30％の小型化と10％の性能向上を実現。IHV Bパッケージが標準化されているため、IGBT3からIGBT4ソリューションへの置き換えは簡単に行える。さらに、「FZ1500R33HE3」を新しい「FZ1600R33HE4」に置き換えるとフレームサイズが小さく大きくなり、同じ出力のインバータを小型化することができる。

半導体デバイス│ディスクリート:その他│

その他の情報

製品カタログ・資料

: IGBT4搭載IHV-B 3.3kVシングルスイッチモジュール
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.89MB本製品は、TRENCHSTOP IGBT4とEmitter Con-trolled 4ダイオードを搭載したIHV-B 3.3kVシングルスイッチ。「FZ2400R33HE4」は、1800Aの競合デバイスに比べ、同じパッケージで45％の性能向上を実現。「FZ825R33HE4D」は、ダイオード容量が増え、同社や競合メーカーの1000Aデバイスと同じ性能となっている。「FZ1600R33HE4」は、1500Aの競合デバイスと比較して30％の小型化と10％の性能向上を実現。IHV Bパッケージが標準化されているため、IGBT3からIGBT4ソリューションへの置き換えは簡単に行える。さらに、「FZ1500R33HE3」を新しい「FZ1600R33HE4」に置き換えるとフレームサイズが小さく大きくなり、同じ出力のインバータを小型化することができる。

会社情報

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