評価ボード EVAL-1ED3251MC12H
最終更新日:2023/08/17
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- ・EiceDRIVER(TM) 2L-SRC 小型シングルチャネル絶縁型ゲートドライバー 1ED32xxファミリー
・2段階のスルーレート制御機能 (2L-SRC)
・耐圧650V/1200V/1700V/2300VのIGBT、SiおよびSiC MOSFET用
・2300Vまでのオフセット電圧が必要とされる用途で使用可能
・ガルバニック絶縁されたコアレス トランス ゲートドライバー
・代表的なソース18 A およびシンク9 Aのソースピーク出力電流
・40Vの絶対最大出力電源電圧
・35 ns (typ.) の入力フィルターを備え、最大 110 nsの伝搬遅延
・高いコモンモード過渡耐性CMTI >200 kV/μs
・アクティブミラークランプ
・短絡クランプおよびアクティブシャットダウン
・DSO-8 大沿面距離 (>8 mm) の300milワイドボディパッケージ
製品カタログ・資料
- 評価ボード EVAL-1ED3251MC12H
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.21MB【EVAL-1ED3251MC12H】は、ハーフブリッジ回路のスイッチ駆動にアクティブミラークランプ機能と2段階のスルーレートコントロール(2L-SRC)機能を搭載したゲートドライバーIC「1ED3251MC12H」を採用した評価ボード。スルーレート制御を使ったスイッチング方式の評価を行うことができる。スイッチの種類は自由に選択可能で、「TRENCHSTOP IGBT IKQ75N120CT2」を推奨。ゲートドライバーICを追加することで、高電圧側からロジック制御部へ超高速の過電流フィードバック信号が送信できるため、SiC MOSFETの使用を可能にし、ダブルパルス試験に最適。シンク電流が9A(typ.)、ソース電流はターンオン時にゲート抵抗を制御することで、9A(typ.)/18A(typ.)の2段階のスルーレート制御を実現。アクティブミラークランプ機能を搭載しているため、スイッチングデバイスにおける寄生ターンオンを回避し、ユニポーラまたはバイポーラの広い電源電圧範囲で動作する。
関連製品カタログ・資料
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