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最終更新日:2021/11/02

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  • 評価ボード EVAL-1ED3251MC12H
9A/18Aの2段階のスルーレート制御を実現
EVAL-1ED3251MC12H】は、ハーフブリッジ回路のスイッチ駆動にアクティブミラークランプ機能と2段階のスルーレートコントロール(2L-SRC)機能を搭載したゲートドライバーIC「1ED3251MC12H」を採用した評価ボード。スルーレート制御を使ったスイッチング方式の評価を行うことができる。スイッチの種類は自由に選択可能で、「TRENCHSTOP IGBT IKQ75N120CT2」を推奨。ゲートドライバーICを追加することで、高電圧側からロジック制御部へ超高速の過電流フィードバック信号が送信できるため、SiC MOSFETの使用を可能にし、ダブルパルス試験に最適。シンク電流が9A(typ.)、ソース電流はターンオン時にゲート抵抗を制御することで、9A(typ.)/18A(typ.)の2段階のスルーレート制御を実現。アクティブミラークランプ機能を搭載しているため、スイッチングデバイスにおける寄生ターンオンを回避し、ユニポーラまたはバイポーラの広い電源電圧範囲で動作する。

その他の情報

    ・EiceDRIVER™ 2L-SRC 小型シングルチャネル絶縁型ゲートドライバー 1ED32xxファミリー
    ・2段階のスルーレート制御機能 (2L-SRC)
    ・耐圧650V/1200V/1700V/2300VのIGBT、SiおよびSiC MOSFET用
    ・2300Vまでのオフセット電圧が必要とされる用途で使用可能
    ・ガルバニック絶縁されたコアレス トランス ゲートドライバー
    ・代表的なソース18 A およびシンク9 Aのソースピーク出力電流
    ・40Vの絶対最大出力電源電圧
    ・35 ns (typ.) の入力フィルターを備え、最大 110 nsの伝搬遅延
    ・高いコモンモード過渡耐性CMTI >200 kV/μs
    ・アクティブミラークランプ
    ・短絡クランプおよびアクティブシャットダウン
    ・DSO-8 大沿面距離 (>8 mm) の300milワイドボディパッケージ

製品カタログ・資料

評価ボード EVAL-1ED3251MC12H
評価ボード EVAL-1ED3251MC12H

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.21MB【EVAL-1ED3251MC12H】は、ハーフブリッジ回路のスイッチ駆動にアクティブミラークランプ機能と2段階のスルーレートコントロール(2L-SRC)機能を搭載したゲートドライバーIC「1ED3251MC12H」を採用した評価ボード。スルーレート制御を使ったスイッチング方式の評価を行うことができる。スイッチの種類は自由に選択可能で、「TRENCHSTOP IGBT IKQ75N120CT2」を推奨。ゲートドライバーICを追加することで、高電圧側からロジック制御部へ超高速の過電流フィードバック信号が送信できるため、SiC MOSFETの使用を可能にし、ダブルパルス試験に最適。シンク電流が9A(typ.)、ソース電流はターンオン時にゲート抵抗を制御することで、9A(typ.)/18A(typ.)の2段階のスルーレート制御を実現。アクティブミラークランプ機能を搭載しているため、スイッチングデバイスにおける寄生ターンオンを回避し、ユニポーラまたはバイポーラの広い電源電圧範囲で動作する。

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インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
〒 141-0032  品川区大崎1-11-2 ゲートシティ大崎イーストタワー21F

https://www.infineon.com/cms/jp/
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