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OptiMOS パワーMOSFET

最終更新日:2023/08/17

PQFNパッケージ(3.3×3.3)で25V〜100Vをラインアップ

本製品は、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用したOptiMOS パワ術に比べて、RthJCも改善。ドライブ、テレコム、SMPS、サーバーなど、さまざまなエンドアプリケーションにおける様々な問題の解決に貢献する。実装面積の異なる「スタンダードゲート構造」と「センターゲート構造」の2種類を用意。センターゲート構造は並列配置に適している。25V〜100Vをラインアップ。

半導体デバイス│ディスクリート:MOSFET│

製品カタログ・資料

: OptiMOS パワーMOSFET
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.46MB本製品は、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用したOptiMOS パワーMOSFET。ソースダウン技術により、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、高放熱性能、電力密度の向上、最適な配置可能範囲などの利点を提供。既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％削減し、既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善。ドライブ、テレコム、SMPS、サーバーなど、さまざまなエンドアプリケーションにおける様々な問題の解決に貢献する。実装面積の異なる「スタンダードゲート構造」と「センターゲート構造」の2種類を用意。センターゲート構造は並列配置に適している。25V～100Vをラインアップ。

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