OptiMOS 5 60V パワーMOSFET ISC010N06NM5
最終更新日:2023/08/17
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- ・導通損失を低減し、電力密度と効率を向上
・並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現
・オーバーシュート低減
・優れた熱挙動
製品カタログ・資料
- OptiMOS 5 60V パワーMOSFET ISC010N06NM5
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.98MB【ISC010N06NM5】は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と高い連続電流(最大330A)を実現したパワーMOSFET。OptiMOS 3および5の製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現し、システムコストの低減と性能向上の必要性に対応している。逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性を向上させる。
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