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低オン抵抗領域1200 V CoolSiC MOSFET

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2023/08/17

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  • 低オン抵抗領域1200 V CoolSiC MOSFET
XT技術によりクラス最高の放熱性を実現
本製品は、最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立したMOSFET。.XT技術によりクラス最高の放熱性を実現。力率改善 (PFC) 回路、双方向トポロジー、DC-DCコンバータやDC-ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに理想的。
    　　　　　　　　
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その他の情報

    ・TO247パッケージできわめて低いRDS(on)
    ・XT技術でクラス最高の放熱性を実現
    ・ゲート負電圧の定格を-10Vまで低下
    ・-5〜＋0V までゲートオフ電圧の柔軟な選択
    ・アバランシェおよび負荷短絡耐量

製品カタログ・資料

低オン抵抗領域1200 V CoolSiC MOSFET
低オン抵抗領域1200 V CoolSiC MOSFET

ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.31MB本製品は、最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立したMOSFET。.XT技術によりクラス最高の放熱性を実現。力率改善 (PFC) 回路、双方向トポロジー、DC-DCコンバータやDC-ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに理想的。

会社情報

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
〒 150-0002  渋谷区渋谷3-25-18　NBF渋谷ガーデンフロント

https://www.infineon.com/cms/jp/
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企業基本情報

社名：
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
住所：
〒 150-0002
渋谷区渋谷3-25-18　NBF渋谷ガーデンフロント
Web：
https://www.infineon.com/cms/jp/

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