V/E-バンド GaN 高出力増幅器

(株)アムテックス

P=2.5W、バイアス回路を内蔵

本製品は、GaNデバイスを採用した米・ミリテック社の高出力増幅器。AS9100と、航空宇宙産業向けの品質認証であるISO9001を取得済み。逆電圧からの保護対策として、バイアス回路を内蔵。周波数:75~102GHzをカバー(帯域を指定)。PAE=20%、利得:20~30dBで、各種用意。このほか同社では、低雑音増幅器や、AMC逓倍器・増幅器を製造している。

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