インフィニオン、高速スイッチングのための第6世代CoolSiC™ Schottkyダイオード650Vを発表

2017/10/12

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

2017年9月26日、ミュンヘン(ドイツ)

独インフィニオンテクノロジーズは、第6世代となるCoolSiC™ Schottkyダイオード650Vを発表しました。このCoolSiCダイオードファミリの最新製品は第5世代の独自の特性をさらに発展させ、信頼性、品質、および効率の向上を実現しています。第6世代CoolSiCは600Vと650V CoolMOS™ 7ファミリに最適なコンパニオン製品です。これらは従来と将来のサーバとPC用電源、通信機器用電源、およびPVインバータをターゲットとしています。

第6世代CoolSiC Schottkyダイオード650Vには新しいレイアウト、新しいセル構造、および新しいインフィニオン独自のSchottkyメタルシステムが採用されています。この結果として業界ベンチマークとなるVF(1.25V)と、従来世代を17%下回るQc x VF性能指数(FOM)を実現しています。またこの新しい第6世代ダイオードはSiCの強力な非温度依存スイッチング動作を活用し、逆回復電荷に影響されません。

このデバイスの設計はあらゆる負荷状況において効率を改善し、またシステムパワー密度を高めています。したがってこの第6世代CoolSiC Schottkyダイオード650Vでは冷却の必要が軽減され、システムの信頼性が向上し、また極めて高速なスイッチングが可能です。この新しいデバイスは最高の価格性能比を持つSiCダイオード世代でもあります。

■提供予定
第6世代CoolSiC Schottkyダイオード650Vはすでに出荷が開始されています。詳細についてはhttps://www.infineon.com/cms/jp/をご覧ください。


詳しくは下記をご覧ください。
https://www.infineon.com/cms/jp/about-infineon/press/market-news/2017/INFPMM201709-070.html