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不揮発性メモリFRAM (Ferroelectric RAM:強誘電体メモリ)

富士通セミコンダクター株式会社

高速書込み、高書換え回数、低消費電力

【FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)】は、強誘電体メモリと呼ばれる不揮発性メモリのひとつ。従来のEEPROMやフラッシュメモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え回数、低消費電力という特長を持つ。カード分野、産業分野、医療分野のほか、ウェアラブルデバイス、ロボット、ドローンなどIoT市場を代表する用途へも応用を拡張。

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不揮発性メモリFRAM (Ferroelectric RAM:強誘電体メモリ)

仕様

用途 カード分野、産業分野、医療、ウェアラブルデバイス、ロボット、ドローンなど
利用されている業界 カード分野、産業分野、医療分野、ウェアラブルデバイス、ロボット、ドローンなど

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会社情報

富士通セミコンダクター株式会社

“技術でヒトをそっと支える”
富士通セミコンダクター株式会社は、FRAM(強誘電体メモリ)および、ファウンドリーサービスなどのLSIを通じて、お客様の多様なニーズに対し高信頼かつ適切なソリューションを提供するLSI専業メーカーです。

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