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不揮発性メモリ ReRAM(Resistive Random Access Memory:抵抗変化型メモリ)

富士通セミコンダクター株式会社

リード時の電流が非常に少なく、電池駆動式のウェアラブルデバイスなどに最適

【ReRAM(Resistive Random Access Memory)】は、抵抗変化型メモリと呼ばれる不揮発性メモリのひとつで、金属酸化膜に電圧を印加することにより抵抗を変化させ、高抵抗と低抵抗の状態の違いによって、0と1のデータを記録する。リード時の電流が非常に少ないため、電池駆動式のウェアラブルデバイスや補聴器など小型機器に最適。

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不揮発性メモリ ReRAM(Resistive Random Access Memory:抵抗変化型メモリ)

仕様

用途 電池駆動式のウェアラブルデバイスや補聴器など
利用されている業界 小型機器

その他の情報

読出し電流は業界最小クラス。
さらに読出し耐性は無制限のため読出しメインのアプリケーションに最適。

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会社情報

富士通セミコンダクター株式会社

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