PR
i.MX 8X ベースIoTエッジコンピューティング開発キット
【新登場】ワイヤレスデータロガーHD35シリーズ / WEBデータロガーHD50シリーズ

不揮発性メモリ ReRAM(Resistive Random Access Memory:抵抗変化型メモリ)

富士通セミコンダクター株式会社

リード時の電流が非常に少なく、電池駆動式のウェアラブルデバイスなどに最適

【ReRAM(Resistive Random Access Memory)】は、抵抗変化型メモリと呼ばれる不揮発性メモリのひとつで、金属酸化膜に電圧を印加することにより抵抗を変化させ、高抵抗と低抵抗の状態の違いによって、0と1のデータを記録する。リード時の電流が非常に少ないため、電池駆動式のウェアラブルデバイスや補聴器など小型機器に最適。

この製品が気になった方はこちら
お問い合わせ
不揮発性メモリ ReRAM(Resistive Random Access Memory:抵抗変化型メモリ)

仕様

用途 電池駆動式のウェアラブルデバイスや補聴器など
利用されている業界 小型機器

その他の情報

読出し電流は業界最小クラス。
さらに読出し耐性は無制限のため読出しメインのアプリケーションに最適。

関連製品カタログ

シリアルEEPROMシリーズ

ロームのシリアルEEPROMは高信頼性を実現した最高クラスのシリーズ。独自のダブルセル(W-cell)構造、データ誤書き込みを防止するダブルリセットが大切なデータを守ります。また、金ワイヤによる高信頼性接続を実現。さらに...

スマートメータ向け 高信頼性シリアル EEPROMシリーズ
2.5V 30A TVSダイオードアレイ SP3025シリーズ
600V CoolMOS PFD7 スーパージャンクションMOSFET
車載アプリケーション用MCU AURIX TC3xxファミリ
小型汎用SP4T RFスイッチ BGSA143GL10
CoolSiC MOSFET 650V
PROFET+2 12V評価ボード

動画

会社情報

富士通セミコンダクター株式会社

“技術でヒトをそっと支える”
富士通セミコンダクター株式会社は、FRAM(強誘電体メモリ)および、ファウンドリーサービスなどのLSIを通じて、お客様の多様なニーズに対し高信頼かつ適切なソリューションを提供するLSI専業メーカーです。

富士通セミコンダクター株式会社
〒2220033
神奈川県 横浜市港北区新横浜2-100-45新横浜中央ビル
https://www.fujitsu.com/jp/fsl/