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Powerex社製MOSFETモジュール

(株)トランシー

低い伝導損失とスイッチング損失を要求するパワーシステム向けに設計

本製品は、Powerex社製のSiC(炭化ケイ素:シリコンカーバイド)MOSFETモジュール。50または100A/1200Vの定格を用意。接合部温度範囲は、拡大:-40~+200℃。SiCMOSFETデバイスは高い効率性・周波数・高温動作を満たしており、低い伝導損失とスイッチング損失を要求するパワーシステム向けに設計。

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