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ビシェイ社、第4世代600V Eシリーズ パワーMOSFETを発表、業界最小3.1 Ω*nC のRDS(ON)*Qg FOM

2019/01/31

ビシェイジャパン(株)

~Superjunctionデバイス、導通損失およびスイッチング損失を低減、テレコム、産業、企業用途向けに高効率を提供~

ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、第4世代600V Eシリーズ パワーMOSFETの最新デバイスを発表しました。ビシェイSiliconixブランドのNチャネルSiHH068N60Eはテレコム、産業、企業の電力システムの電源用途向けに高効率を提供し、前世代の600V Eシリーズ MOSFETと比べてオン抵抗を27%削減し、60%低いゲート電荷を提供します。これにより、オン抵抗とゲート電荷の積(電力変換アプリケーションでの重要な性能指数のFOM)は600V MOSFETとしては業界最小を実現します。

ビシェイ社は、最新の電子機器が必要とする高電圧入力から低電圧出力までのすべての電力変換ステージに対応する幅広いMOSFET製品をお客様に提供します。新製品のSiHH068N60Eや近々発表予定の第4世代600V Eシリーズファミリーは、電力システム設計の一次側(PFCおよびハードスイッチDC/DCコンバータートポロジー)で効率性と電力密度の向上に貢献します。

SiHH068N60Eはエネルギー効率の高い最新のSuperjunctionテクノロジーで設計されたEシリーズの新製品です。10Vで0.059Ωの標準低オン抵抗、53nCの超低ゲート電荷を提供し、3.1Ω*nCのFOMは同じクラスの競合製品と比べて12%低いのが特長です。SiHH068N60Eの有効出力容量Co(er)とCo(tr)はそれぞれ94pfと591pFと低く、スイッチング性能を向上し、導通損失およびスイッチング損失を低減することができます。

新デバイスはアバランシェモードで過渡過電圧に耐えるよう設計されており、全数UIS(アバランシェ)検査により限界値が保証されています。PowerPAK® 8x8パッケージで提供され、RoHS準拠のハロゲンフリー品です。

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は10週間です。

SIHH068N60Eの製品データシート:http://www.vishay.com/ppg?92121
製品の写真は、https://www.flickr.com/tbd


ビシェイ・インターテクノロジー社について
ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品(抵抗製品、インダクタ、コンデンサ等)メーカーのひとつです。同社の部品はコンピュータ、自動車、コンシューマー、通信、軍用、航空宇宙、電源、医療等多種多様な界の製品に組み込まれています。ビシェイは革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスで、業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしています。詳細は、ビシェイ社のホームページをご参照ください。http://www.vishay.com
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