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ビシェイ社、60V MOSFETの新製品を発表、効率性と電力密度を向上、4mΩのRDS(ON)、3.3mm^2面積で提供

2019/08/13

ビシェイジャパン(株)

~標準ゲートドライブに最適、22.5nCの低ゲート電荷、34.2nCのQOSS、PowerPAK® 1212-8Sで提供~

ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、業界初の標準ゲートドライブ向けに最適化され、10Vで4mΩまでの低オン抵抗を提供する60VのNチャネルTrenchFET® Gen IVパワーMOSFETを、耐熱性が強化された3.3mm by 3.3mm PowerPAK® 1212-8Sパッケージで発表しました。

ビシェイSiliconixブランドのSiSS22DNはスイッチングトポロジーの効率性と電力密度を向上するよう設計されており、22.5nCの低いゲート電荷と出力電荷(QOSS)を特長とします。

通常のロジックレベルが60Vデバイスとは異なり、SiSS22DNの標準VGS(th)およびミラー・プラトー電圧は6V以上のゲート駆動電圧回路向けに強化されています。最適なダイナミック特性を提供することで同期整流アプリケーションでのデッドタイムの短縮化とシュートスルーを防止します。SiSS22DNの業界最小のオン抵抗は2番目に良い製品と比べて4.8%低く、最先端のロジックデバイスに匹敵します。34.2nCのQOSSは、このクラスで最高のQOSSとオン抵抗の積(ゼロ電圧スイッチング(ZVS)またはスイッチタンクトポロジーを採用する電力変換アプリケーションでのMOSFETの重要な性能指数のFOMを実現します。また、6mmx5mmによる同様のソリューションと比べてPCBスペースが65%削減され、電力密度を向上します。

SiSS22DNの仕様は、導通損失とスイッチング損失を同時に最小限に抑えるよう微調整されています。効率性を向上し、AC/DCおよびDC/DCトポロジーの同期整流、DC/DCコンバータの一次スイッチング、昇降圧コンバータのハーフブリッジMOSFETパワーステージ、テレコムおよびサーバー電源のOR-ing機能、パワーツールや産業機器のモーター駆動制御と回路保護、バッテリー管理モジュールのバッテリー保護と充電等の、電力管理システムビルディングブロックに最適です。

MOSFETは全数RgおよびUIS試験済、RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は30週間です。

注:「TrenchFET」・「PowerPAK」は、Siliconixの登録商標です。

ビシェイ・インターテクノロジー社について
ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品(抵抗製品、インダクタ、コンデンサ等)メーカーのひとつです。同社の部品はコンピュータ、自動車、コンシューマー、通信、軍用、航空宇宙、電源、医療等多種多様な界の製品に組み込まれています。ビシェイは革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスで、業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしています。詳細は、ビシェイ社のホームページをご参照ください。http://www.vishay.com