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ビシェイ社、80V MOSFETを発表、同等製品に比べて最高レベルのオン抵抗とゲート電荷の積(FOM)を提供、効率性を向上

2020/01/30

ビシェイジャパン(株)

~2.35mΩのオン抵抗、55 nCのゲート電荷、614 pFのCOSS、PowerPAK® SO-8シングルパッケージで提供~

ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、80VのNチャネルTrenchFET® Gen IVパワーMOSFETを、6.15mm×5.15mm PowerPAK® SO-8シングル パッケージで発表しました。ビシェイSiliconixブランドのSiR680ADPは、電力変換トポロジーやスイッチング回路の効率性を向上し省電力化を実現するよう設計されており、オン抵抗とゲート電荷の積は同等製品に比べて最高レベルの129mΩ*nCです。

本日リリースされたデバイスはゲート電圧10Vで標準2.35mΩの低いオン抵抗、55nCの極めて低いゲート電荷、614pFのCOSSを提供します。これらの仕様は、スイッチング、チャネル導通、ダイオード導通における電力損失を抑え、結果として効率性を向上するよう微調整されています。オン抵抗とゲート電荷の積(FOM)は競合製品および前世代デバイスと比べてそれぞれ12.2%、22.5%低くなっており、標準的な48Vの入力、12V出力のDC/DCコンバーター向けに最も効率良いソリューションを提供します。

SiR680ADPは、同期整流、一次スイッチング、バック・ブーストコンバーター、共振タンクスイッチングコンバーターなど幅広いDC/DCやAC/DC変換アプリケーションのビルディングブロック、テレコムやデータセンターサーバー電源のOR-ing機能、ソーラーマイクロインバータ、パワーツールや産業機器のモーター駆動制御、バッテリー管理モジュールのバッテリースイッチング等の用途に最適です。

MOSFETは全数RgおよびUIS試験済、RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は12週間です。

「TrenchFET」と「PowerPAK」はSiliconix社の登録商標です。

ビシェイ・インターテクノロジー社について
ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品(抵抗製品、インダクタ、コンデンサ等)メーカーのひとつです。同社の部品はコンピュータ、自動車、コンシューマー、通信、軍用、航空宇宙、電源、医療等多種多様な界の製品に組み込まれています。ビシェイは革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスで、業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしています。詳細は、ビシェイ社のホームページをご参照ください。http://www.vishay.com