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ビシェイ社、30VのPチャネルMOSFETをPowerPAK® 1212 8Sパッケージで発表、業界最小のRDS(ON)を提供、電力密度の向上、エネルギー節約、携帯電子機器に最適

2020/02/12

ビシェイジャパン(株)

~業界最小3.5mΩのRDS(ON)、172mΩx nCのFOM、10.89mm2パッケージで提供~

ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、このクラスで最高の172mxnCのオン抵抗とゲート電荷の積(電力変換アプリケーションでのMOSFETの重要な性能指数のFOM)、および業界最小の10Vで3.5mΩのオン抵抗を提供する30VのPチャネルTrenchFET® Gen IVパワーMOSFETを、耐熱性が強化された3.3×3.3mm PowerPAK® 1212-8Sパッケージで発表しました。ビシェイSiliconixブランドのSiSS05DNは電力密度を向上するよう設計されており、6×5mmパッケージによる同等のオン抵抗を提供するデバイスと比べて65%小さく、スペースを節約します。

本日リリースされたデバイスのオン抵抗は、前世代のデバイスおよび同等性能の競合製品と比べてそれぞれ26%、35%低く、FOMは最も近い競合製品と比べて15%低いのが特長です。業界最小のこれらの数値は導通損失とスイッチング損失を軽減することでエネルギーを節約し、携帯電子機器のバッテリーの長寿命を提供します。また、電圧降下を最小限に抑えることで誤ったトリガーを防ぎます。デバイスの小型サイズは、PCBスペースが限られた設計に適しています。

業界標準の実装面積を提供するSiSS05DNは、5~20V入力レールを使用した用途での既存部品のアップグレードの代替品として利用可能です。アダプタや負荷スイッチ、逆極性保護、バッテリー式デバイスのモーター駆動制御、バッテリー充電器、家庭用電子機器、コンピュータ、テレコム装置等に最適です。

MOSFETは全数RgおよびUIS試験済、RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。
サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は12週間です。

「PowerPAK」と「TrenchFET」はSiliconix社の登録商標です。

ビシェイ・インターテクノロジー社について
ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品(抵抗製品、インダクタ、コンデンサ等)メーカーのひとつです。同社の部品はコンピュータ、自動車、コンシューマー、通信、軍用、航空宇宙、電源、医療等多種多様な界の製品に組み込まれています。ビシェイは革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスで、業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしています。詳細は、ビシェイ社のホームページをご参照ください。http://www.vishay.com