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0.25μm SiGe BiCMOS技術 ムテック

(株)アムテックス

最終更新日:2014/05/22

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  • 0.25μm SiGe BiCMOS技術 ムテック
fmax=220GHzの試作開発サービスを開始
アムテックスは、0.25μm SiGe BiCMOS技術によるfmax=220GHzの試作開発サービスを開始した。同社はカスタム・メイドで超高周波デバイス、MMIC、RFチップ、混合集積回路などに対応、周波数30GHzから95GHzまでのMMICトランジスタ、混合集積デバイスを提供。対象製品は70GHz帯VCO、60GHz帯フロント部、24GHz帯ミキサなど。

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